نوشته شده در دیدگاه‌تان را بنویسید

شرکت استون

شرکت استون شرکتی چینی است که امروزه در بسیاری از فعالیت‌های صنعتی از آن بهره گرفته می‌شود.

شرکت استون (ESTUN) همواره تلاش می‌کند تا با ارائه با کیفیت‌ترین تجهیزات رضایت مشتریان را جلب کند.

و به روزترین تجهیزات صنعتی از طریق به کارگیری افراد مجرب می‌نماید.

هم اکنون شرکت استون به عنوان یکی از عظیم‌ترین تولیدکنندگان تجهیزات صنعتی است.

در زمینه طراحی و ساخت انواع سروو موتور و درایو آن فعالیت گسترده‌ایی دارد.

در این شرکت از فناوری و تکنولوژی نوینی به نام IPR در مراحل ساخت انواع سروو موتور استفاده می‌شود.

این هدف موضوع باعث افزایش کاربری انواع مدل‌های استون گردیده است.

در حال حاضر شاهد آن هستیم که در بسیاری از صنایع و فعالیت‌های مهم و حساس صنعتی از این نوع موتورها استفاده می‌گردد.

 

شرکت استون

از اهداف شرکت استون:

  • در سال‌های اخیر، با بهره‌گیری از تکنولوژی مدرن، طراحی و ساخت سرو موتور استون (estun)گسترش یافت.
  • به صورت دو موتور و سه موتوره را نیز آغاز شده و با نام های سری ETS روانه بازار شده است.

از ویژگی های شگفت انگیز این سرو موتور های جدید آن است که می توانند دو یا سه موتور  را کنترل نماید. که دارای ویژگی های فنی منحصر به خود هستند را به صورت مجزا از هم کنترل نمایند.

همچنین استفاده از این سرو موتور ها که از لحاظ موقعیت و محل نصب، بسیار کم حجم تر از سایرین هستند، باعث شده تا میزان هزینه ها به میزان 30% کاهش یابد.

  • شرکت استون ESTUN به عنوان یکی از بزرگترین مراکز پژوهش و توسعه است.
  •  این شرکت در زمینه ساخت و فروش سیستم های سرو درایو و سرو موتور ac در سطح دنیا شناخته شده است.

این شرکت با تکمیل تکنولوژی موسوم به IPR روی سرو موتور AC به طور گسترده در:

  • ماشین های CNC
  • ماشین های بسته بندی
  • ماشین های چاپ
  • ربات های صنعتی
  • ماشین های نساجی
  • ماشین های صنایع چوب
  • صنایع کاغذ سازی
  • ماشین آلات پلاستیک

و سایر خطوط تولید مرتبط فعالیت می نماید.

نوشته شده در دیدگاه‌تان را بنویسید

تریستور چیست؟

تریستور قطعه‌ای نیمه رسانا است و مورد استفاده  در مدارهای الکترونیک قدرت و الکترونیک صنعتی می‌باشد.

تریستور، یکسو‌ساز کنترل شده یا سیلیکون یا CSR نیز نامیده‌ می‌شود.

برای روشن شدن قطعه پسیو، باید به پایه گیت آن یک سیگنال اعمال کند.

در واقع با اعمال سیگنال گیت یک دیود یکسو داریم و این هم ‌‌راستا با کلمه یکسوساز در SCR می‌باشد.

نماد مداری تریستور یک دیود قابل کنترل می‌باشد و شکل آن به این صورت نشان داده می‌شود:

تریستور چیست

تريستور كه يك قطعه نيمه‌هادي چهارلايه است و سه پيوند PN دارد.

برخلاف ديود پيوندي كه قطعه‌اي نيمه رسانا دو لايه و يا ترانزيستور دو قطبي سه لايه مي‌باشد.
تريستور همانند ديود تك جهته مي‌باشد و جريان را فقط در يك جهت هدايت مي‌كند.

اما برخلاف ديود، تريستور با توجه به چگونگي سيگنال اعمالي به گيتش به عنوان يك كليد مدار بار عمل مي‌كند.

در واقع تریستور ها مي‌توانند در حالت كليدزني عمل كنند و به عنوان تقويت كنندگي به كاربرده نمي‌شوند.
يكسوساز كنترل شده با سيليكون يا SCR در كنار ترياك (TRIAC)، دياك ( DIAC) و ترانزيستور تك پيوندي (UJT) از قطعاتي نيمه رساناي قدرت هستند كه مي‌توانند مانند كليدهاي AC حالت جامد بسيار سريع، براي كنترل ولتاژها و جريان‌هاي AC بزرگ انجام شوند.
تریستور سه پايه و با پايه‌هاي آند (ANODE)، كاتد (CATHODE) و گيت (GATE) تشكيل شده است.

داراي سه پيوند PN مي‌باشد و مي‌تواند با سرعت بالا روشن و خاموش شود.

همچنین توانايي تحويل مقدار مشخصي از توان براي متغيیرهاي زماني در نيم تناوب‌ها را دارد.

براي درك بهتر عملكرد تريستور به شكل زير توجه كنيد:

تریستور

در شكل بالا مدار دو ترانزيستور نشان داده مي‌شود كه جريان كلكتور ترانزيستور NPN يا TR2 مستقيما بيس ترانزيستور NPN يا TR1 را تغذيه مي‌كند.
از آن‌جايي كه دو ترانزيستور در يك حلقه فيدبك احياگر متصل شده‌اند بسيار سريع يك‌ديگر را به حالت هدايت اشباع مي‌برند.

مقاومت مستقيم تريستور هنگام هدايت به مقادير پايين‌تري از يك اهم مي‌رسد و ولتاژ و توان اتلافي نيز كم‌تر مي‌شود.

و هنگامي كه فرمان هدايت داده مي‌شود، جريان گذرنده از آند به كاتد با مقاومت مدار خارجي محدود مي‌شود.

در شكل زير يك تريستور نشان داده مي‌شود:

تریستور

نوشته شده در دیدگاه‌تان را بنویسید

سیستم ارت Grounding

سیستم ارت : هنگام نصب درایو و تجهیزات جانبی باید نسبت به ارت‌کردن سیستم‌ها توجه ویژه نمود.

باید توجه شود که ارت کردن درایو بصورت مستقل نمی‌تواند در نظر گرفته شود.

بلکه باید هنگام ارت کردن کل سیستم را در نظر گرفت که شامل ترانسفورماتور تغذیه شبکه، تجهیزات جانبی ورودی درایو، خود درایو، تجهیزات جانبی خروجی درایو، کابل‌های ورودی و خروجی و نهایتا موتور می‌باشد. همه این تجهیزات باید بصورت استاندارد ارت شوند.

ارت کردن سیستم برای دو هدف اصلی انجام می شود:

اول ایمنی ناشی از ولتاژهای ناخواسته‌ای که بر روی بدنه تجهیزات الکتریکی ایجاد می‌شود.

این ممکن است باعث آسیب رسیدن به تجهیزات و یا افراد شود.

با اتصال بدنه تجهیزات به ارت و ایجاد یک مسیر جریانی مناسب بین بدنه دستگاه‌ها و زمین این ایمنی ایجاد می‌‌گردد.

دومین هدف از ارت کردن جلوگیری از ایجاد نویزهای الکتریکی و کاهش آن‌ها می‌باشد.

این نویزها باعث اختلال در کار تجهیزات الکتریکی می شود.

مخصوصاً درایوها که به خاطر انتشار امواج فرکانس بالا و الکترومغناطیسی می‌توانند منشا نویزهای الکتریکی باشند.

باید خاطر نشان کرد با نصب صحیح آن‌ها و تجهیزات جانبی و کابل کشی‌های استاندارد این نویزها کاهش چشمگیری می‌یابند.

زمین کردن تجهیزات به معنی اتصال بدنه فلزی تجهیزات الکتریکی به پتانسیل ارت یکسان می‌باشد.

بدین منظور باید تمام قطعات فلزی به صورت مستقل و با کابل‌های مسی جداگانه به ارت وصل شوند.

سیستم ارت Grounding

اتصال ترمینال PE درایو

ترمینال PE درایو حتما باید به سیستم ارت ground وصل شود. ارت استفاده شده باید مناسب باشد و مطابق با استانداردهای ملی ایجاد شده باشد. کابل‌های استفاده شده برای ارت باید با سطح مقطع مناسب باشند. کابل‌های ارت متناسب با توان درایو و کابل‌های قدرت اصلی انتخاب می‌شوند. برای اتصال ارت نباید از سوکت‌هایی که امکان قطع شدن دارند استفاده نمود و باید اتصالات ارت محکم و مطمئن باشند.

اتصال ارت موتور

بدنه موتور باید با کابل جداگانه به ترمینال PE درایو متصل شود. همچنین بدنه موتور باید در محل نصب آن به صورت جداگانه به ارت متصل شود.

کنترل نویز

تمام اتصالات ترمینال‌های کنترلی باید توسط کابل‌های شیلددار انجام گیرد.

شیلد کابل باید در قسمت ورودی ترمینال‌های درایو به ارت وصل گردد.

اتصال زمین شیلد کابل باید بصورت حلقوی و 360 درجه برقرار شود.

اگر رشته‌های سیم داخل کابل بصورت به هم تابیده هستند و شیلد جداگانه دارند نباید این شیلد به شیلد اصلی و همان ارت متصل شود زیرا اثر شیلد را کاهش می‌دهد.

برای موتور باید کابل شیلددار استفاده شود.

شیلد کابل باید هم از یک طرف به ارت درایو و از طرف دیگر به بدنه موتور متصل شود.

خود بدنه موتور هم بهتر است با کابل جدا و در محل موتور ارت شود.

سیم کشی سایت:

به عنوان مقدمه باید گفت که تمامی هادی‌ها مثل یدک آنتن عمل می‌کنند و الکتریسته جاری را به میدان الکترومغناطیسی تبدیل می‌کنند که می‌تواند به محیط‌‌‌‌های وسیع‌تر نشت کند.

از طرفی‌ دیگر همه هادی‌ها میدان‌های الکترومغناطیسی محلی را که در آن واقع شده اند، به سیگنال‌های الکتریکی تبدیل می‌کنند.

بنابراین هادی‌ها هم در معرض تابش بوده و هم خود تابش دارند.

بررسی‌ها نشان می‌دهد که استفاده از کابل در فرکانس‌های بالا، مشکلات را زیادتر می‌کند.

نمی‌توان انتظار داشت که سیگنال‌ها را به درستی انتقال داده، از محیط بیرون تأثیر نپذیرند.

تقسیم بندی تجهیزات:

معمولا در یک تابلو کنترل تجهیزات مختلفی وجود دارد. از قبیل اینورتر، فیلتر، PLC و وسایل اندازه گیری.

هر کدام قابلیت‌های متفاوتی در پخش و دریافت نویزهای الکترومغناطیسی دارند.

بنابراین الزام است این تجهیزات به تجهیزات مقاوم به نویز و تحهیزات حساس به نویز تقسیم بندی گردند.

هر کدام از تجهیزات مشابه باید در یک محل قرار گیرند. و فاصله دستگاه‌های مختلف هر گروه از هم باید حداقل 20cm باشد.

سیم‌کشی داخل تابلو کنترل برای سیستم ارت :

داخل یک تابلو کنترل معمولا سیم‌های کنترلی و سیم‌های قدرت وجود دارند.

برای اینورترها کابل‌های قدرت به دو بخش کابل‌های ورودی و کابل‌های خروجی تقسیم می‌شوند.

کابل‌های کنترل به سادگی تحت تاثیر کابل‌های قدرت قرار گرفته و نویز ایجاد شده باعث اختلال در کارکرد تجهیزات آن‌ها می‌شود.

بنابراین هنگام سیم‌کشی باید کابل‌های کنترل و کابل‌های قدرت از مسیرهای جداگانه و با فاصله عبور داده شوند.

از عبور دادن کابل‌های کنترل و قدرت به موازات هم و در کنار هم خودداری شود.

این کابل‌ها در داکت‌های جداگانه و با فاصله حداقل 20cm از هم قرار می‌گیرند.

اگر کابل قدرت و کنترل باید از روی هم عبور نمایند باید با زاویه 90 درجه عبور داده شوند.

آرایش ترمینال‌های کنترل دستگاه‌ها

سیستم ارت

نوشته شده در دیدگاه‌تان را بنویسید

ترانزيستور چيست؟

ترانزيستور دستگاهي است كه به همراه سه ‌پايه كه از اتصال متوالي دو ديوار ساخته مي‌شود. به همين دليل داراي دو پيوند P-N مي‌باشد، كه سه ‌پايه آن از سه نيمه هادي موجود در اين پيوندها گرفته مي‌شوند.
متصل شدن متوالي ديودها، باعث به وجود آمدن دو نوع ترانزيستور مي‌شود، NPN و PNP، كه به ترتيب به معناي قرار گرفتن نيمه هادي نوع P در بين دو نيمه هادي نوع N در بين دو نيمه هادي نوع P مي‌باشد.
ساختار در تصوير زير نشان داده شده:

اساس ساخنار ترانزيستور‌ها يك پيوند P-N معمولي مي‌باشد، كه مي‌تواند ولتاژ يا جريان را تحت كنترل بگيرد و تنظيم كند. به عبارتي ترانزيستور در مقابل سيگنال‌ها مانند سوييچ عمل مي‌كند، در واقع ترانزيستور كار تقويت سيگنال را به عهده دارد.
پايه‌هاي ترانزيستور به نام‌هاي اميتر، بيس و كلكتور هستند و هركدام داراي عملكرد خاص خود مي‌باشند:

پايه‌ي اميتر(EMITTER):

ابعاد نیمه‌هادی مربوط به امیتر معمولی است و حامل اکثریت جریان آن، شدیدا تقویت شده است ( از طریق ذوب شدن ) چرا که وظیفه‌ی این پایه تامین حاملان اکثریت جریان در ترانزيستور است،خواه الکترون، خواه حفره.
بنابراین به دلیل صادر کردن الکترون، به این پایه امیتر ( به معنای گسیل کننده) می‌گویند.
در نماد مداری پایه‌ی امیتر را با علامت E مشخص می‌کنند.

پایه‌ بیس (Base):

نیمه هادی بیس از دو نیمه هادی دیگر ابعاد کوچک‌تری دارد ( عرض کمتر) و مقدار اندکی ذوب شده است.
ماموریت اصلی آن عبور دادن حاملان اکثریت از پایه‌ی امیتر به پایه‌ی کلکتور است.
در نماد مداری پایه‌ی بیس را با علامت B مشخص می‌کنند.

پایه‌ی کلکتور (Collector):

همان‌طور که از نام آن مشخص است وظیفه آن جمع‌آوری و دریافت حامل‌های اکثریت است.
ابعاد آن، (از نظر عرض) از بیس و امیتر بزرگ تر است (از آن‌جا که کلکتور یک ترانزیستور نسبت به دو پایه‌ی دیگر توان بیشتری تلف می‌کند، آن‌را بزرگ‌تر از دو نیمه‌هادی دیگر می‌سازند) و به صورت ملایم ذوب شده است.
در نماد مداری پایه‌ی کلکتور را با علامت C مشخص می‌کنند.
باياس ترانزيستور:
باياس دهي به معني كنترل عملكرد مدار از طريق تامين منبع توان است. درواقع عملكرد هر دو پيوند
P-N موجود در ترانزيستور را مي‌توان با كمك باياس دادن به آن‌ها از طريق يك منبع DC، كنترل كرد. حالات مختلف باياس‌دهي ترانزيستور در تصوير زير نشان داده شده است:

نوشته شده در دیدگاه‌تان را بنویسید

موتور DC بدون جاروبک (BLDC)

موتور DC بدون جاروبک (BLDC) نوعی از موتورهای سنکرون هستند.

این موضوع به این معنی است که در موتور BLDC میدان مغناطیسی در روتور و استاتور با یک فرکانس ایجاد می­‌شوند.

انواع موتور DC بدون جاروبک دارای لغزش به آن مفهومی که در موتورهای القایی وجود دارد نمی‌­باشند.

موتورهای دی‌سی براش‌لس با منبع دی‌سی تغذیه می‌شوند که توسط اینورتر مجتمع برای به حرکت درآوردن موتور به سیگنال الکتریکی AC تبدیل می‌شود.

سنسورها و قطعات الکترونیکی دیگری نیز خروجی اینورتر را کنترل می‌نمایند.

موتورهای براش‌لس همچنین به صورت موتورهای پله‌ای وصف می‌شوند.

هر چند عنوان موتور پله‌ای برای آن دسته از موتورها به کار می‌رود که طراحی آن‌ها به گونه‌ای است که به حالت‌هایی عمل نمایند که روتور آن به سرعت در نقطه زاویه‌ای تعریف‌ شده بایستد.

موتورهای BLDC در انواع تکفاز، دو فاز و سه فاز وجود دارند.

مطابق نوع آن، استاتور دارای همان تعداد سیم‌پیچ می ­باشد.

علاوه بر این موتورهای سه فاز بیشترین رواج و مصرف را در بین انواع دیگر دارند.ساختمان موتور DC بدون جاروبک

اصول عملکرد موتور DC بدون جاروبک:

هما‌ن‌طور که از نام موتورهای DC بدون جاروبک مشخص است، برای عملکرد به جاروبک نیاز ندارند.

در موتورهای جریان مستقیم معمولی، جاروبک‌ها وظیفه رساندن جریان الکتریکی از طریق کموتاتورها به سیم‌پیچ‌های روتور را برعهده دارند.

پس چگونه موتور بدون جاروبک جریان را منتقل می‌کند؟

در واقع، در این نوع موتورها عمل انتقال جریان به سیم‌پیچ‌های روتور انجام نمی‌شود. زیرا سیم‌پیچ‌ها روی روتور قرار ندارند.

روتور از جنس مغناطیس دائم ساخته شده و سیم‌پیچ‌ها روی استاتور ثابت هستند و نمی‌چرخند، به همین دلیل نیاز به جاروبک برای عمل کموتاسیون وجود ندارد.

در موتورهای دارای جاروبک، عمل چرخش از طریق کنترل میدان مغناطیسی تولیدی به وسیله سیم‌پیچ روتور انجام می‌شود.

در حالی که میدان مغناطیسی تولید شده توسط آهنرباهای دائم ساکن، ثابت باقی می‌ماند.

برای تغییر سرعت چرخش، ولتاژ سیم‌پیچ‌ها باید تغییر کنند.

در موتور DC بدون جاروبک ، مغناطیس دائم موتور است که می‌چرخد و دوران به وسیله تغییر در جهت میدان مغناطیسی تولید شده توسط سیم‌پیچ‌های ثابت اطراف، انجام می‌گیرد.

برای کنترل چرخش باید دامنه و جهت جریان در این سیم‌پیچ‌ها تنظیم شوند.

یک موتور BLDC با سه سیم‌پیچ – که هر کدام دو سر دارند – در کل شش سیم دارد.

در اکثر کاربردهای عملی سه سر از این سیم‌ها به صورت داخلی (اتصال ستاره) به هم دیگر متصل هستند.

سه سیم دیگر از موتور خارج شده‌اند (در موتور جریان مستقیم دو سیم از موتور خارج می‌شود).ساختمان موتور DC بدون جاروبک

کنترل موتور DC بدون جاروبک :

همان‌طور که دیدیم تفاوت عمده موتورهای بدون جاروبک نسبت به موتورهای دارای جاروبک عدم وجود کموتاسیون مکانیکی در این موتورهاست.

اما تفاوت دیگر این است که کنترل این موتورها به مراتب پیچیده‌تر از موتور دارای جاروبک است.

کنترل موتور BLDC نیازمند آگاهی از موقعیت روتور است.

برای کنترل حلقه‌بسته سرعت موتور به دو مورد دیگر نیز نیاز داریم:

  • اندازه‌گیری سرعت و اندازه‌گیری جریان موتور
  • سیگنال مدولاسیون پهنای باند یا PWM برای کنترل توان و سرعت موتور

کنترل سنسوری موتور DC بدون جاروبک :

در حالت کلی، کنترل موتور BLDC به دو دسته سنسوری و بدون سنسور (Sensorless) تقسیم می‌شوند.

در کنترل سنسوری برای اندازه‌گیری موقعیت روتور از سنسورهای اثر هال تعبیه شده در استاتور استفاده می‌شود. که موقعیت نسبی را اندازه می‌گیرند.

سنسورهای اثر هال در بازه‌های برابری (معمولا 60 یا 120 درجه الکتریکی) چیده شده‌اند.

در کنترل سنسوری، از ترکیب سنسور اثر هال با ترانزیستورهای قدرت استفاده می‌شود که به عنوان کلید الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرند.

سنسور اثر هال یک سیگنال منطقی صفر یا یک تولید می‌کند. (زمانی که قطب شمال مغناطیسی در برابر آن قرار گیرد، سطح یک منطقی را نشان می‌دهد)

توالی کموتاسیون توسط ترکیب سیگنال‌های منطقی سنسور اثر هال و کلیدهای ترانزیستوری تولید می‌شود.کنترل سنسوری موتور DC بدون جاروبک

در شکل زیر توالی کموتاسیون در یک موتور BLDC سه فاز به تصویر کشیده شده است.

سنسورهای اثر هال در موقعیت b ،a و c نصب شده‌اند.

برای هر گام در توالی کموتاسیون، یکی از سیم‌پیچ ها (U یا V یا W) توسط پل ترانزیستوری ماسفت (MOSFET) یا به منبع ولتاژ (high) یا به زمین (low) متصل می‌شود و یا اتصالی ندارد (float).

برای مثال در شکل سمت چپ در ردیف اول V ،U و W به ترتیب float ،low ،high هستند.

نیروی مغناطیسی حاصل باعث چرخش موتور در جهت پادساعتگرد خواهد شد.

ادامه این توالی سبب چرخش موتور و کامل شدن چرخش آن به اندازه نیم دور مکانیکی خواهد شد.مقدار سنسور اثر هال در موتور BLDC

در تصویر زیر وضعیت سیم‌پیچ‌های هر فاز متناظر با سیگنال‌های سنسور اثر هال نشان داده شده است.

به این نکته توجه کنید که چگونه هر 60 درجه الکتریکی حداقل یک کلید منطقی و سیم‌پیچ تغییر وضعیت می‌دهند.

کد سنسور اثر هال
کنترل بدون سنسور موتور DC بدون جاروبک :

در کنترل بدون سنسور موتور BLDC سنسور اثر هال حذف شده و به جای آن از نیروی ضد محرکه (Back-EMF) برای تخمین موقعیت استفاده می‌شود.

کنترل بدون سنسور برای کاربردهای سرعت متغیر و کم‌هزینه مانند کولر، پمپ‌، یخچال و تهویه هوا ضروری است.

نیروی ضد محرکه منجر به جریانی در هر سیم‌پیچ موتور DC بدون جاروبک (BLDC) و در نتیجه یک میدان مغناطیسی با شار مخالف با میدان اصلی خواهد شد که توسط قانون لنز توصیف می‌شود.

نیروی ضد محرکه تمایل دارد تا در برابر چرخش موتور مقاومت کند و به همین دلیل از نام Back برای آن استفاده می‌شود.

برای یک موتور DC بدون جاروبک با شار مغناطیسی ثابت، نیروی ضد محرکه با سرعت زاویه‌ای موتور متناسب است.

با نظارت بر نیروی ضد محرکه موتور، یک برنامه مناسب میکروکنترلری می‌تواند موقعیت نسبی روتور و استاتور را بدون نیاز به سنسور اثر هال تعیین کند. این موضوع منجر به ساده‌سازی ساختار موتور، کاهش هزینه و حذف اتصالات اضافی مورد نیاز برای اتصال به سنسورهای اثر هال می‌شود که به نوبه خود قابلیت اطمینان سیستم را افزایش می‌دهد.

کنترل بدون سنسور موتور DC بدون جاروبک

عیب عمده این روش این است که موتور در حالت ساکن نیروی ضد محرکه تولید نمی‌کند. در نتیجه میکروکنترلر قادر نخواهد بود موقعیت نسبی روتور را از ابتدا تعیین کند. راه حل این مشکل راه‌اندازی موتور DC بدون جاروبک به صورت حلقه باز است تا نیروی ضد محرکه القایی کافی برای میکروکنترلر تولید شود و در نتیجه موقعیت روتور و استاتور را تخمین بزند و سپس کنترل را آغاز کند.

نقاط گذر از صفر:

نیروی ضد محرکه تولید شده به وسیله هر سیم‌پیچ، موتور DC بدون جاروبک در شکل پایین نشان داده و با خروجی کلید منطقی سنسور اثر هال مقایسه شده است. همان‌طور که در این شکل نیز می‌توان دید نقاط گذر از صفر (Zero-Crossing Points) برای نیروی ضد محرکه در سیم‌پیچ‌ها همزمان با تغییرات حالت کلیدهای منطقی است. همین نقاط گذر از صفر است که به میکروکنترلر کمک می‌کند تا هر مرحله از چرخه کموتاسیون در کنترل بدون سنسور موتور BLDC را انجام دهد.نقاط گذر از صفر

نوشته شده در دیدگاه‌تان را بنویسید

ترایاک چیست؟

کلید AC سه پایه ( TRIODE AC SWITCH) یا به اختصار ترایاک (TRIAC) قطعه‌ای نیمه هادی و ازخانواده تریستور‌ها می‌باشد که یکی از کاربری‌های آن به عنوان قطعات سوئیچینگ می‌باشد.

نکته مهم درباره این قطعات دو طرفه بودن آن است.

به عبارت دیگر می‌توان یک ترایاک را با اعمال ولتاژ‌های مثبت و منفی به آند و نیز پالس مثبت و منفی به گیت، درحالت هدایت قرار داد.

این امر باعث می‌شود ترایاک یک قطعه سوئیچینگ کنترل شده با گیت دو وجهی باشد.
ساختار ترایاک دقیقا به صورت دو تریستور معمولی عمل می‌کند که به صورت پشت به پشت به یک‌دیگر وصل شده‌اند.

به دلیل یک پایه گیت اشتراکی داشتن به ترایاک قطعه‌ای سه سر نیز گفته می‌شود.

دلیل نامگذاری یک سر آند و یک سر کاتد با نام‌های MT1، برای ترمینال اصلی1، MT2 برای ترمینال اصلی 2 و G برای ترمینال گیت عبور شکل موج سینوسی در هر دو جهت توسط ترایاک می‌باشد.
در بسیاری از کاربردهای سوئیچینگ AC، ترمینال گیت ترایاک مشابه رابطه گیت_کاتد تریستور یا رابطه بیس _امیتر ترانزیستور، یا MT1 می‌باشد.
پیوند P-N و نماد شماتیک یک ترانزیستور در شکل زیر مشخص است:

ترایاک قطعه‌ای چهارلایه PNPN در جهت مثبت و NPNP در جهت منفی می‌باشد.

دارای سه سر است که در حالت OFF مانند مدار باز عمل می‌كند و جريان را سد مي‌كند.

تراياك با فرمان گرفتن از طريق پالس گيت، جريان را در دو جهت از خود عبور مي‌دهد.

بنابراين تراياك داراي چهار حالت براي عملكرد است:

• حالت +I: جریانMT2 مثبت (Ve+) و جریان گیت مثبت (Ve+)
• حالت -I: جریان MT2 مثبت (Ve+) و جریان گیت منفی (Ve-)
• حالت +III: جریانMT2 منفی (Ve-) و جریان گیت مثبت (Ve+)
• حالت -III: جریانMT2 منفی (Ve-) و جریان گیت منفی (Ve-)

اين چهار عملكرد را در منحني زير مي‌توانید مشاهده کنید:

کاربرد‌هاي تراياك

تراياك يكي از متداول‌ترين قطعه‌هاي نيمه هادي مي‌باشد كه مورد استفاده در سوئيچينگ و كنترل توان مدارهای AC می‌باشد.

زیرا این قطعه قابلیت ON شدن با پالس گیت مثبت و منفی را بدون توجه به پلاریته منبع در آن لحظه دارد.

این ویژگی ترایاک را به یک قطعه کاربردی‌تر برای کنترل یک لامپ یا بار موتور AC ایده‌آل می‌کند.

نوشته شده در دیدگاه‌تان را بنویسید

وارونگر IGBT

«ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده» (Insulated Gate Bipolar Transistor) یا به اختصار IGBT، قطعه‌ای نیمه‌رسانا است.

IGBT عملکردی بین ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) دارد.

ترانزیستور IGBT بهترین بخش‌های دو ترانزیستور متداول BJT و MOSFET را در ساختار خود دارد.

در واقع، امپدانس ورودی بزرگ و سرعت سوئیچینگ بالای MOSFET و ولتاژ اشباع پایین BJT با هم ترکیب شده است.

نوع دیگری ترانزیستور به نام IGBT ساخته شده که قابلیت عملکرد در مقادیر بالای جریان کلکتور-امیتر را با ولتاژ گیت تقریباً صفر دارد.

IGBT مجهز به فناوری گیت ایزوله شده MOSFET و نیز مشخصه یک ترانزیستور دو قطبی متداول است.

نتیجه چنین ترکیبی، سوئیچینگ خروجی و مشخصه هدایت یک ترانزیستور دو قطبی را دارد، اما مانند یک ماسفت ولتاژ آن کنترل شده است.

IGBTها به طور گسترده در کاربردهای الکترونیک قدرت مانند اینورترها، مبدل‌ها و منابع تغذیه که به قطعات سوئیچینگ حالت جامد نیاز داشته و ماسفت‌ها و BJTها در آن‌جا کارایی لازم را ندارند، مورد استفاده قرار می‌گیرند.

ترانزیستورهای دو قطبی ولتاژ بالا و جریان بالا در دسترس هستند، اما سرعت سوئیچینگ آن‌ها پایین است.

سرعت سوئیچینگ ماسفت‌های قدرت زیاد است. اما قطعات ولتاژ بالا و جریان بالای آن گران هستند.

شکل زیر یک IGBT را نشان می‌دهد.

وارونگر IGBT

ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده، بهره توان بالاتری نسبت به ترانزیستور دو قطبی استاندارد دارد.

همچنین قابلیت عملکرد در ولتاژ بالاتر و تلفات ورودی پایین‌تر را دارا است.

از دیدگاه عملکردی، IGBT یک FET است که با ترانزیستور دو قطبی ترکیب شده و پیکربندی دارلینگتون را تشکیل داده است.

شکل زیر این موضوع را نشان می‌دهد.

آی جی بی تی

همان‌طور که در شکل بالا مشخص است، IGBT یک قطعه سه پایه یا سه سر و با هدایت انتقالی است.

IGBT از ترکیب یک ماسفت کانال N با گیت ایزوله شده در ورودی و یک ترانزیستور دو قطبی PNP در خروجی ساخته می‌شود که مدار دارلینگتون را تشکیل داده‌اند.

پایه‌های IGBT، کلکتور (Collector)، امیتر (Emitter) و گیت (Gate) نام دارند.

دو تا از این پایه‌ها (C و E) متناظر با مسیر هدایت هستند که جریان از آن‌ها می‌گذرد.

پایه سوم (G)‌ نیز قطعه را کنترل می‌کند.

میزان تقویت‌ کنندگی IGBT، برابر با نسبت سیگنال خروجی به سیگنال ورودی آن است. برای یک BJT عادی، مقدار بهره تقریباً برابر با نسبت جریان خروجی به جریان ورودی است که بتا (β)نامیده می‌شود.

در یک ماسفت، جریان ورودی به دلیل ایزوله بودن گیت از جریان کانال اصلی، صفر است.

بنابراین، بهره FET برابر با نسبت تغییر جریان خروجی به تغییر ولتاژ ورودی است که منجر می‌شود این نیمه‌هادی، یک قطعه هدایت انتقالی باشد که در مورد IGBT نیز چنین است.

در نتیجه IGBT را می‌توانیم به عنوان یک BJT قدرت در نظر بگیریم که جریان بیس آن با یک ماسفت تغذیه می‌شود.

ترانزیستور IGBT را می‌توان مانند BJT یا MOSFET در مدارهای تقویت کننده سیگنال کوچک به کار برد.

اما از آن‌جایی که IGBT تلفات هدایت کم BJT را با سرعت بالای سوئیچینگ ماسفت قدرت ارائه می‌کند، یک سوئیچ حالت جامد بهینه است که برای استفاده در کاربردهای الکترونیک قدرت ایده‌آل است.

وقتی از IGBT به عنوان سوئیچ کنترل شده استاتیکی استفاده می‌کنیم، این قطعه مقادیر ولتاژ و جریان مشابهی با ترانزیستور دو قطبی دارد.

البته وجود گیت ایزوله‌ شده در IGBT، فرمان آن را نسبت به BJT ساده‌تر می‌کند و توان کم‌تری نیاز دارد.

یک IGBT را می‌توان به سادگی و با فعال یا غیرفعال کردن پایه گیت، ON یا OFF کرد.

مشابه اکثر ماسفت‌ها و BJTها، با اعمال یک سیگنال ولتاژ ورودی مثبت به دو سر گیت و امیتر، IGBT روشن می‌شود.

با صفر یا کمی منفی شدن سیگنال گیت، IGBT به حالت خاموش می‌رود.

یکی دیگر از مزایای IGBT این است که مقاومت کانال پایین‌تری در حالت هدایت نسبت به ماسفت استاندارد دارد.

آی جی بی تی

IGBT یک قطعه کنترل شده با ولتاژ است.

فقط به مقدار کمی ولتاژ گیت برای ماندن در حالت هدایت نیاز دارد.

برخلاف BJT که به تغذیه مداوم جریان بیس برای ماندن در حالت اشباع نیازمند است.

همچنین،IGBT برخلاف ماسفت دو جهته، یک قطعه یک‌ جهته است (یعنی جریان را فقط در جهت مستقیم از کلکتور به امیتر عبور می‌دهد).

ماسفت‌ها قابلیت عبور جریان کنترل شده در جهت مستقیم و جریان کنترل نشده را در جهت معکوس دارند.

اصول عملکرد مدارهای راه‌ انداز گیت در IGBTها بسیار شبیه به ماسفت‌های قدرت کانال N است.

تنها تفاوت اساسی این است که هنگام گذر جریان از IGBT در حالت ON، مقاومت کانال هدایت اصلی بسیار کمتر از ماسفت است.

نحوه تست IGBT:

  • تست دیودی: برای تست دیودی احتیاجی به خارج کردن از مدار نیست.

با یک مولتی متر که دارای مقادیر تست دیود باشد می‌توان یک IGBT را تست نمود.

روش کار به این صورت است که ابتدا پراب قرمز (+) را روی لینک منفی درایو و پراپ مشکی (-) را به خروجی اینورترها به ترتیب U / V / W قرار داده و مقدار حدودا 0.4 را باید نشان دهد.

پس پراپ مشکی (-) را روی لینک مثبت درایو قرار داده و حالا پراپ قرمز (+) را به ترتیب U / V / W قرار داده که همان مقادیر 0.4 را باید نشان دهد.

در غیر اینصورت اگر مقادیر به صورت اتصال کوتاه یا اتصال باز باشد، IGBT آسیب دیده است.

  • تست با منبع تغذیه: برای تست IGBT ابتدا باید IGBT را از مدار خارج کنیم.

پس به دو منبع تغذیه مستقل احتیاج داریم. یکی را ابتدا بین کلکتور و امیتر قرار داده و منبع تغذیه دوم را بین گیت و کلکتور قرار می‌دهیم.

محض روشن شدن گیت، جریان از کلکتور به امیتر عبور می‌کند، در ضمن جریان منبع تغذیه را روی مقادیر کم باید تنظیم شود.

با برعکس نمودن جهت جریان، IGBT خاموش می‌شود.

این روش، روشی مطمئن‌تر برای تست IGBT خواهد بود.

IGBTها به صورت تکی، دوبل، پک شش تایی و هفت تایی و IPM ساخته می‌شود.

IGBT ها به صورت پین قابل لحیم، پیچی، کنتاکتلس و غیره ساخته می‎‌شود، که هرکدام در جاهای خاصی مورد استفاده قرار می‌گیرد.

IPM:

IPM

IGBT دوبل:

IGBT دوبل

پک هفت تایی:

پکهفت تایی

IGBTهای جدید با ساختاری کم حجم‌تر ساخته شده که انقلابی در صنعت الکترونیک قدرت به وجود خواهد آورد.

نوشته شده در دیدگاه‌تان را بنویسید

رله چیست؟

رله یکی از پرکابردترین قطعاتی است که در مدارهايي كه داراي قسمت كنترلي الكترونيكي و يك سوييچ براي قطع و وصل جريان برق با ولتاژهاي بالا مي‌باشد، که اگر دقت کرده باشید در وسایل الکتریکی مانند بخاری برقی، کولر گازی، پمپ آب و … هنگام روشن و خاموش شدن صدایی شبیه شکسته شدن قولنج را می‌شنوید که این صدا همان صدای این قطعه می‌باشد.
رله یک نوع کلید الکتریکی سریع می‌باشد که با کنترل یک مدار الکتریکی دیگر باز و بسته می‌شود، که رله تقویت کننده نیز نامیده می‌شود، یعنی توانایی هدایت جریانی قوی‌تر از جریان ورودی را دارد و روش‌های باز و بسته شدن این کلید به صورت‌هاي مكانيكي، حرارتي، مغناطيسي، الكترواستاتيك و … است.

رله چیست؟
انواع رله شامل انواع زیر می‌شود:

• رله دیفرانسیل
• حرارتی
• مخصوص
• رله فرکانسی
• نوع دیستانس (distance relay)
• نوع آور کارنت (Over current relay)
• نوع میکرو کنترل

رله

نوع حرارتي:

این قطعه از دو فلز با جنس‌هاي مختلف كه خاصيت انبساط طولي مختلفي دارند ساخته شده است. اطراف اين فلز به هم چسبيده يك رشته سيم حامل جريان الكتريكي پيچيده شده است، كه سيم مزبور در هنگام عبور جريان الكتريكي با حرارت ايجاد شده خم شده و باعث عملکرد آن مي‌شود و پس از عمل كردن به حالت اول برمي‌‎گردد.

نوع مغناطيس:

رله مغناطيسي در مدار‌ها مورد استفاده قرار مي‌گيرد و كار آن محافظت در برابر اتصال كوتاه است. با اين تفاوت كه فيوز مي‌سوزد ولي كليد رله، مدار جريان را قطع مي‌كند. درصورتي كه جريان زيادي عبور نكند، ميدان الكترو مغناطيس، قدرت لازم براي جذب اهرم ندارد. اما در صورت عبور جريان زياد، مثلا هنگام ترمز موتور و يا اتصال كوتاه، ميدان الكترو مغناطيس خيلي خوبي ايجاد شده و اهرم را به طرف خود مي‌کشد، این عمل به فنر امکان می‌دهد که بازوی اتصال را قطع و کنتاکت‌ها را باز كند و درنتيجه مدار قطع مي‌شود. الكترومغناطيس انرژي اش را از دست داده و اهرم به حالت اول برمي‌گردد.

 

نوشته شده در دیدگاه‌تان را بنویسید

ترانزیستورهای نسل جدید

این مقاله مربوط به طرح ابتکاری دکتر ”فرشید رییسی“ که در مجله معتبر بین‌المللی AppliedLetters Physics آمریکا ارایه شده است. بازتاب وسیعی در نشریات و رسانه‌های علمی فیزیکی جهان داشته است. این ترانزیستورهای جدید به‌جای بهره‌‌گیری از سیلیکون، با ایندیوم فسفاید (phosphideindium )و ایندیوم گالیوم آرسناید (arsenide gallium indium) ساخته می‌شوند. این مواد ‌با هم ترکیب می‌شوند تا یک ماده سه لایه ایجاد شود که پایه ترانزیستورهای دو قطبی (bipolar) را تشکیل می‌دهد. هر ترانزیستور از سه قسمت ساخته می‌شود که عبارتند از امیتر،بیس و کلکتور. تیم طراح می‌گوید که ساختار کلکتور را با افزودن ایندیوم، کریستاله می‌کنند تا هتروجانکشن سودومورفیک (heterojunction pseudomorphic) درست شود. این پیوند اجازه می‌دهد تا الکترون‌ها آزادانه‌تر بین دو الیه حرکت کنند که در نتیجه این عمل، سرعت بالا حاصل می‌شود. میلتون فینچ پروفسور مهندسی برق و کامپیوتر هولونیاک در ایلینویز که این‌مطالب را عنوان نمود اضافه کرد که هنوز چند سالی با ارائه نمونه عملی این ترانزیستورها به بازار فاصله داریم زیرا قیمتی که برای این نمونه تنظیم شده است 100 برابر ترانزیستور ساخته شده از سیلیکون است هرچند که انتظار می‌رود با تولید انبوه، این هزینه تا 90 درصد کاهش یابد. یکی از نقاط ضعف این مواد جدید آن است که بشدت نیرو مصرف می‌کنند که باعث می‌شود تا نتوان آن‌هارا در میکروپروسسورها کنار هم قرار داد. در سال ۱۹۷۱ میلادی اولین پردازنده شرکت اینتل بهنام 4004 تعداد 2300 ترانزیستور داشت و 30 سال بعد از آن پردازنده پنتیوم 4 تعداد 42 میلیون‌ ترانزیستور داشت در طی این مدت استراتژی اصلی سازندگان تراشه‌ها برای ساختن پردازنده‌های سریعتر کوچک‌تر کردن ترانزیستورها بوده است. برای فعال کردن آن‌ها در انجام اعمال تکراری و همچنین فعال کردن مدارهای بسیار پیچیده که درون یک طاس از جنس سیلیکون جاگذاری شده اند به هر حال نظر به این‌که نیم رساناها حتی بیشتر از پیچیده بودن مرحله‌ی مهمی را در اندازه و حجم و کارایی ترانزیستورها می‌گذارنند مانند مصرف برق و گرما که دارد پدیدار می‌شود که به چند عامل محدود می‌شوند که به سرعت در طراحی و ساخت تراشه‌ها بستگی دارد. کاربرد طرح‌های موجود برای پردازنده‌های آینده به خاطر تراوش کنونی در ساختمان ترانزیستور غیر قابل انجام است که نتایجی را از قبیل مصرف زیاد برق و تولید زیاد گرما در برداشته است. در اواخر سال 2002 شرکت اینتل از نوآوری و پیشرفت‌های محقق‌هایش در زمینه ساختمان ترانزیستورها و نمایاندن مواد جدید که به عنوان یک گام مهم در تالش برای حفظ موازین قانون میکروچیپ و بهبود بخشیدن سرعت و راندمان قدرت و کاهش گرمای تولید شده در پردازنده خبرداد. این ساختمان جدید که به عنوان یک به روز رسانی در پردازنده‌ها اضافه‌می‌شود به نام اینتل تراهرتز ترانزیستور می‌باشد و این به خاطر توانایی در خاموش و روشن کردن ترانزیستورها در مدت زمانی به اندازه یک ترلیونم از ثانیه است. شرکت اینتل امیدوار است که سرانجام تراشه‌های جدیدی بسازد که تعداد ترانزیستورهای آن بیشتر از یک بیلیون است. باسرعتی ده برابر بیشتر و با تراکم ترانزیستوری، 25 برابر تمام تراشه‌های پیشرفته موجود درسال 2000، انجام چنین کاری این معنی را به عناصر تراشه می‌بخشد که آن‌ها قادر به اندازه گیری مقادیری بسیار کوچک‌تر از تار موی انسان به اندازه 20 نانو متر هستند. ترانزیستور اختراع ساده‌ای است که در یک ناحیه ی سیلیکونی ساخته شده است که آن فقط می‌تواند به صورت الکترونیکی یک تبدیل بین خاموش و روشن انجام دهد. مطابق آیین و برنامه ترانزیستورها سه پایانه با اسامی Gate و Source و Drain دارند. Source و Drain نوع دیگری از سیلیکون اساسی و Gate ماده به نام پلی‌سیلیکون است. پایین Gate لایه‌ی نازکی به نام ماده عایق برق که از دی اکسید سیلیکون ساخته شده وجود دارد وقتی که ولتاژی به ترانزیستور داده می شود، Gate باز یا روشن می شود و جریان برق از Source به Drain جاری می شود، وقتی که Gate بسته یا خاموش است هیچ جریان برقی وجود ندارد. تکنولوژی اینتل تراهرتز در ترانزیستورها سه ‌تغییر عمده را شامل می‌شود:

  1.  که فاصله ی بین Source و Drain زیاد‌تر می‌شود و زیربنای این ترانزیستورها به‌گونه‌ای است که فقط یک جریان الکتریسیته می‌تواند از آن عبور کند.
  2. ‌ لایه عایق سیلیکون که اندازه‌ی آن بسیار نازک است، زیر Source و Drain جاسازی می‌شود. این روش با روش موسوم برای ایزوله کردن سیلیکون در بقیه‌ی اختراعات متفاوت است. وقتی ترانزیستور روشن است ماکسیسم رانشی است که می‌تواند داشته باشد، که ‌این در سرعت تبدیل حالت خاموش و روشن کردن ترانزیستور بسیار مفید است. وقتی که Gate خاموش است لایه اکسید، راه جریان‌های ناخواسته‌ای که در گردش می‌افتد را مسدود می‌کند.
  3.  قطعه شیمیایی لایه‌ی اکسیدی Gate ترانزیستور را با Source و Drain مرتبط می‌سازد که باعث می‌شود یک ماده عایق جدید ایجاد شود که این روش توسط تکنولوژی به نام لایه اتمی رشد یافته است که این لایه‌هایی هستند که با کلفتی یک مولکول رشد یافته‌اند. قطعه شیمیایی خیلی دقیق لایه اکسیدی Gate تابه حال توانسته از جنس آلومینیوم و تیتانیوم از بین بقیه قطعات باشد. این سه روش بهبود سازی، مستقل از هم هستند اما کار آن‌ها در آینده یک هدف را دنبال خواهد کرد که استفاده‌ی موثرتری از جریان برق توسط ترانزیستورهاست:
    1. ضخیم‌تر کردن منطقه‌ی مورد استفاده برای Source و Drain و تغییر قطعه ی شیمیایی Gate اکسیدی که همه‌ی این‌ها به تراوش بدنه‌ی اصلی Gate کمک می‌کند. زیرا جریان‌ می‌تواند به خارج از Gate تراوش کند. ترانزیستورهای کوچک‌تر راه فرار بیشتری می‌گیرند به‌همین علت طراحان مجبورند جریان الکتریسیته‌ی بیشتری برای پمپ‌کردن در نظر بگیرند که‌باعث تولید گرمای بیشتری می‌شود. شرکت اینتل ادعا می‌کند تراوش Gate در ماده جدید نسبت به دی اکسید سیلیکون 10000 برابر کاهش می‌یابد.
    2. افزایش لایه‌ی عایق کننده سیلیکون (SOI) باعث کاهش مقاومت در برابر جریان گردشی بین Source و Drain می‌شود. درنهایت این کاهش مقاومت به طراحان این اجازه را خواهد داد که‌ مصرف برق را کاهش دهند یا بازده و کارایی را نسبت به انرژی داده شده بهبود بخشند.
  4. مزیت‌های دیگری هم وجود دارد که آن‌ها را نشان می‌دهیم. برای مثال: گردش آزادانه ذره‌ی آلفا که از تماس با یک ترانزیستور در تراشه‌ها می‌تواند به‌طور ناگهانی باعث تغییر حالت آن یا بروز خطا شود که در آینده این ذرات بوسیله‌ی لایه‌ی عایق کننده (SOI) جذب می‌شوند. پردازنده‌های کنونی پنتیوم 4 با توان 45 وات کار می‌کنند. خوب است بدانیم که ترانزیستورهای تراهرتز در پردازنده‌های آینده قادر هستند مراحل تلافات توان را حفظ کنند و قدرت را در فاصله‌ی 100 وات نگه‌دارند. شرکت اینتل پیشنهاد کرده که می‌تواند با به کارگرفتن قسمت‌هایی از تکنولوژی تراهرتز در تولیدات آتی خود مثال تراشه‌های 0.09 میکرونی در سال 2003 یا زودتر استفاده کند. در نهایت تغییرات شیمییایی و معماری مجزا در تکنولوژی جدید می‌تواند در نیمه دوم قرن جاری به اوج خود برسد. شرکت اینتل در سال 2007 تراشه‌هایی خواهد ساخت که با یک بیلیون ترانزیستور کار می‌کند اما با میزان مصرف برق پردازنده‌های پنتیوم 4 که در قرن حاضر مصرف می‌شوند، با چنین سرعت پیشرفتی از ترانزیستورهای جدید انتظار می رود پردازنده‌هایی با سرعت 10 گیگا هرتز در سال 2005 و تراشه‌هایی با 20 گیگاهرتز سرعت در پایان دهه تولید شود. سریع‌ترین ترانزیستور جهان توسط دکتر (فرشید رییسی)، عضو هیات علمی دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی طراحی و ساخته شد. در طراحی این ترانزیستور به جای الکترون از سالیتان، بسته‌های امواج الکترو مغناطیسی (که با سرعت نور حرکت می‌کند، استفاده شده است. رییسی درباره مزیت این طرح گفت: ترانزیستور سالیتانی می‌تواند صدها برابر سریع‌تر از ترانزیستورهای معمولی که از جنس نیمه هادی هستند، عمل کند. وی افزود: اینترانزیستور در ابعاد 0/8 میلیمتر ساخته شده است و سرعتی حدود 8 گیگاهرتز دارد که در مقایسه با ترانزیستورهای معمولی (حدود 2/5 گیگا هرتز) برابر بیشتر است و هر چه ابعاد آن کوچکتر باشد، سرعت ترانزیستور افزایش می‌یابد. وی با اشاره به اینکه قطعات مورد نیاز اینترانزیستور از خارج کشور تهیه می‌شود، همچنین گفت: تولید این ترانزیستور به آزمایشگاه‌های ساخت قطعات نیمه‌هادی نیازمند است که متاسفانه در کشور وجود ندارد. وی افزود: در حالی که هزینه تهیه یک آزمایشگاه ساخت ترانزیستور سالیتانی نسبت به هزینه آزمایشگاه‌های ساخت ترانزیستورهای کنونی بسیار کمتراست. دکتر رییسی خاطر نشان کرد: در صورت تجهیز آزمایشگاه قطعات نیمه هادی در کشور، با تهیه ترانزیستورهای سالیتانی در ابعاد صد نانومتر، می‌توان سرعت فرکانسی آن را به حدود 200 تا 300 گیگاهرتز رساند تا در مواردی نظیر ابر رایانه‌ها و فعالیت‌های دفاعی که سرعت ترانزیستور اهمیت دارد، به کار رود. وی افزود: ترانزیستور سالیتانی علاوه بر سرعت سه برابر بیشتر نمونه اولیه آن نسبت به سریع‌ترین ترانزیستورهای موجود در بازار، از لحاظ هزینه تولید از ترانزیستورهای نیمه‌هادی با کاربردی بیشتر و بسیار ارزان‌تر است.

ترانزیستور